nch mosfet 文章最新資訊

利用智能理想二極管實(shí)現(xiàn)汽車(chē)電池前端保護(hù)

簡(jiǎn)介汽車(chē)電池端子在啟動(dòng)、車(chē)輛保養(yǎng)或維修過(guò)程中可能被反接，如果對(duì)這些故障條件不能恰當(dāng)處理，電子控制單元 (ECU) 中的組件就可能損壞。除此之外，正常運(yùn)行期間的汽車(chē)電池電壓也可能不恒定。在 EMC 標(biāo)準(zhǔn)（如 ISO 7637 和 ISO 16750）規(guī)定的幾項(xiàng)瞬態(tài)測(cè)試中，輸入電壓 (VIN) 甚至可能為負(fù)。這些潛在的風(fēng)險(xiǎn)意味著為汽車(chē)電池提供前端保護(hù)十分必要。肖特基二極管和 P 溝道 MOSFET (P-FET) 廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)電池反向保護(hù)和汽車(chē)電氣瞬態(tài)保護(hù)。但這些傳統(tǒng)解決方案功耗極大，
關(guān)鍵字：汽車(chē)電池前端保護(hù) 智能理想二極管 MPQ5850-AEC1 反極性保護(hù) 肖特基二極管 P 溝道 MOSFET N 溝道 MOSFET 電荷泵升壓變換器車(chē)規(guī)電源 EMI/EMC

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無(wú)論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對(duì)稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過(guò)離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導(dǎo)通。源極
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羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開(kāi)發(fā)。新產(chǎn)品通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)（xEV）牽引逆變器等高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，能夠有效縮小單元體積并提升輸出功率。同時(shí)，該芯片還非常適合用于AI服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng)，展現(xiàn)了其在高性能應(yīng)用場(chǎng)景中的潛力。
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600V 超結(jié) MOSFET 面向電動(dòng)汽車(chē)、開(kāi)關(guān)電源及光伏逆變器應(yīng)用

來(lái)源：萬(wàn)高半導(dǎo)體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬(wàn)高半導(dǎo)體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該平臺(tái)及其衍生產(chǎn)品旨在滿足大功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS）與逆變系統(tǒng)的應(yīng)用需求，可為服務(wù)器、工作站、通信整流器、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)電源系統(tǒng)等廣泛場(chǎng)景帶來(lái)更高效率、更高功率密度、更低整體系統(tǒng)成本與更強(qiáng)的可靠性。該器件適用于圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）、LLC 諧振變換器、相移全橋（P
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SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見(jiàn)的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場(chǎng)景,往往需要千安級(jí)的電流輸出,單管無(wú)法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用的場(chǎng)景越來(lái)越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯(lián)的目標(biāo)都是實(shí)現(xiàn)電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達(dá)到這一目標(biāo),我們需要做到三點(diǎn):1.并聯(lián)芯片參數(shù)盡可能一致2.功率回路、驅(qū)動(dòng)回路與散熱結(jié)構(gòu)布局一致3.門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)作為高速開(kāi)關(guān)器件,SiC MOSFE
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溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對(duì)于我國(guó)的電力電子界來(lái)說(shuō),固態(tài)變壓器(SST)并非是一個(gè)全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運(yùn)行、大型超充站項(xiàng)目里都有過(guò)試點(diǎn)實(shí)踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對(duì)的挑戰(zhàn)大于機(jī)遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及,和未來(lái)智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動(dòng),讓SST的商業(yè)價(jià)值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級(jí)機(jī)架演進(jìn),傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)已經(jīng)不堪重負(fù),難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協(xié)同”的關(guān)鍵階段。在這一背景下,SST
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碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計(jì)、工業(yè)與服務(wù)器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動(dòng)態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET以及開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。1、利用 SiC CJFET替代
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電力電子的未來(lái)：2026 MOSFET晶體管趨勢(shì)與技術(shù)創(chuàng)新

引言電力電子領(lǐng)域正在飛速發(fā)展，MOSFET 晶體管始終處于創(chuàng)新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費(fèi)電子、工業(yè)系統(tǒng)等眾多應(yīng)用中變得愈發(fā)不可或缺。2026 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到 5952 億美元，正反映出這一增長(zhǎng)趨勢(shì)。在高效電源轉(zhuǎn)換與管理方案需求持續(xù)攀升的背景下，掌握 MOSFET 技術(shù)的最新趨勢(shì)與參數(shù)規(guī)格，對(duì)工程師和設(shè)計(jì)人員至關(guān)重要。本文深入解析 MOSFET 晶體管的關(guān)鍵參數(shù)、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與應(yīng)用場(chǎng)景，展望其在未來(lái)電力電子領(lǐng)域的核心作用。技術(shù)概述MOSFET（金屬?氧化物?半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是
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IGBT與MOSFET：數(shù)據(jù)對(duì)比選型以助力優(yōu)化電子設(shè)計(jì)

引言在飛速發(fā)展的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選用合適的元器件對(duì)優(yōu)化性能、效率與可靠性至關(guān)重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應(yīng)用中經(jīng)常選用的兩類核心器件。深入理解二者的差異、參數(shù)特性與適用場(chǎng)景，將顯著提升設(shè)計(jì)方案的整體效率。隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到 2026 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 5952 億美元，對(duì)優(yōu)化電子設(shè)計(jì)的需求也變得前所未有的迫切。本文將基于數(shù)據(jù)對(duì) IGBT 與 MOSFET 展開(kāi)對(duì)比，為你的電子項(xiàng)目決
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IRF540 功率MOSFET實(shí)際應(yīng)用：案例研究與深度解析

本文面向工程師與采購(gòu)人員的專業(yè)指南，涵蓋 IRF540 功率 MOSFET 的實(shí)際應(yīng)用、案例研究與深度解析，包含技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用場(chǎng)景及采購(gòu)建議。引言在不斷發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域中，IRF540 功率 MOSFET 憑借其通用性脫穎而出，成為眾多應(yīng)用中的核心元器件。這款功率 MOSFET 以處理大功率的能力著稱，已成為汽車(chē)電子、消費(fèi)電子等行業(yè)的常用器件。據(jù)預(yù)測(cè)，到 2026 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)到 5952 億美元，市場(chǎng)對(duì) IRF540 功率 MOSFET 這類高可靠性元器件的需求持續(xù)攀升。本文將深入解析其技術(shù)參
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SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護(hù)方案探討

在設(shè)計(jì)常見(jiàn)的DCDC或DCAC等電路時(shí)，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護(hù)的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時(shí)間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對(duì)于SiC MOSFET器件來(lái)說(shuō)，問(wèn)題變得復(fù)雜了。因?yàn)樵谙嗤碾娏鞯燃?jí)下，SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間通常比IGBT小很多。這主要是因?yàn)镾iC MOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時(shí)非常薄的外延層使得發(fā)熱位置更加集中（詳細(xì)原因闡述見(jiàn)談?wù)凷iC MOSFET的短路能力）。這給短路保護(hù)設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)，即使是微小的系統(tǒng)設(shè)計(jì)差異也會(huì)顯著影響S
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC MOSFET 短路行為

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiC MOSFET的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電等關(guān)鍵領(lǐng)域注入強(qiáng)勁動(dòng)力。相比于G1單管器件僅有650V/1200V兩檔電壓等級(jí)，G2系列電壓等級(jí)更加全面，涵蓋400V/650V/750V/1200V/1400V，以及豐富多樣的封裝形式
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選用合適的MOSFET：下一項(xiàng)目的核心選型要點(diǎn)

引言在飛速發(fā)展的電子領(lǐng)域中，選擇合適的 MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）對(duì)項(xiàng)目成功至關(guān)重要。據(jù)預(yù)測(cè)，到 2026 年半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將達(dá)到 5952 億美元，對(duì)高效、可靠 MOSFET 的需求持續(xù)增長(zhǎng)。MOSFET 在電源管理、開(kāi)關(guān)應(yīng)用及信號(hào)放大中扮演關(guān)鍵角色，已成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的器件。充分理解其規(guī)格參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)及應(yīng)用電路，是保證設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能與可靠性的關(guān)鍵。技術(shù)概述MOSFET 是用于放大或切換電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。憑借高效率與快速開(kāi)關(guān)特性，它成為眾多電子電路的核心組
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Diodes推出行業(yè)領(lǐng)先的100V PowerDI?8080-5封裝MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行業(yè)領(lǐng)先的超低RDS（ON）100V MOSFET，擴(kuò)充其PowerDI8080-5 汽車(chē)級(jí)*N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。與新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鷗翼引線器件均設(shè)計(jì)用于最大限度降低導(dǎo)通損耗、減少熱量產(chǎn)生，并提升整體效率。其應(yīng)用涵蓋電池電動(dòng)汽車(chē)（BEV）、混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）及內(nèi)燃機(jī)（ICE）平臺(tái)中的無(wú)刷直流（BLDC）和直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。工程師可利用額定電壓100V DMTH10H1M
關(guān)鍵字： Diodes PowerDI MOSFET 48V

麥米電氣采用英飛凌CoolMOS? 8 MOSFET驅(qū)動(dòng)其新一代AI服務(wù)器

【2026年3月25日, 中國(guó)上海訊】中國(guó)人工智能服務(wù)器電源供應(yīng)商深圳麥格米特電氣股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：麥米電氣）宣布，將在其5.5 kW人工智能（AI）服務(wù)器電源中采用由全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）最新推出的CoolMOS? 8超結(jié)MOSFET技術(shù)。為滿足日益增長(zhǎng)的AI服務(wù)器需求，麥米電氣依托英飛凌CoolMOS? 8半導(dǎo)體器件，實(shí)現(xiàn)了高效率與白金級(jí)性能?；谠摷夹g(shù)，麥米電氣面向AI服務(wù)器及開(kāi)放計(jì)算生態(tài)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出一套緊湊
關(guān)鍵字：麥米電氣英飛凌 CoolMOS 8 MOSFET AI服務(wù)器